碲鋅鎘單晶(Cd1-xZnxTe,CZT)為寬禁帶II-VI族化合物半導體,可以看作是CdTe和ZnTe固溶而成,常溫常壓下為閃鋅礦結構,屬于立方晶系。其熔點根據Zn含量不同,在1092°C~1295°C之間變化。其晶格常數可以通過改變Zn組分加以調制,能夠和窄禁帶的HgCdTe材料在晶格上實現完全匹配,因此可作為HgCdTe外延的優選襯底材料,已被廣泛應用于制備高性能紅外焦平面探測器。