碲鋅鎘單晶（Cd1-xZnxTe,CZT）為寬禁帶II-VI族化合物半導體，可以看作是CdTe和ZnTe固溶而成，常溫常壓下為閃鋅礦結(jié)構(gòu)，屬于立方晶系。其熔點根據(jù)Zn含量不同，在1092°C~1295°C之間變化。其晶格常數(shù)可以通過改變Zn組分加以調(diào)制，能夠和窄禁帶的HgCdTe材料在晶格上實現(xiàn)完全匹配，因此可作為HgCdTe外延的優(yōu)選襯底材料，已被廣泛應用于制備高性能紅外焦平面探測器。
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