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砷化銦InAs

以InAs單晶為襯底可生長InAsSb/InAsPSb,InNAsSb等異質(zhì)結(jié)材料和InAs/GaSb超晶格結(jié)構(gòu)材料,可制作波長2~14μm的紅外發(fā)光器件和中紅外量子級聯(lián)激光器,這些紅外器件在氣體檢測、低損耗光纖通信等領(lǐng)域具有良好的應(yīng)用前景。此外,InAs單晶具有很高的電子遷移率,是一種制作Hall器件的理想材料。

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