以InAs單晶為襯底可生長InAsSb/InAsPSb,InNAsSb等異質結材料和InAs/GaSb超晶格結構材料,可制作波長2~14μm的紅外發光器件和中紅外量子級聯激光器,這些紅外器件在氣體檢測、低損耗光纖通信等領域具有良好的應用前景。此外,InAs單晶具有很高的電子遷移率,是一種制作Hall器件的理想材料。