銻化銦(InSb)作為一種III-V族半導體晶體材料,有極窄的禁帶寬度、極小的電子有效質量和極高的電子遷移率,在磁阻元件和霍爾器件等工業技術領域獲得了重要應用。基于InSb的紅外探測器在3~5μm波段擁有極高的量子效率和響應率,是中波紅外探測器的優選材料。